スパッタリング

  • ガスフロースパッタ
    原理と特徴：

    高速、構造シンプル

    用途：

    耐熱性断熱膜（タービン）

  • ２元スパッタソースＤＭＣ
    原理と特徴：

    磁性金属材料の2元スパッタ源であり、一つのカソードで、合金、傾斜膜、多層膜の形成を可能にします。

    用途：

    ハードディスク

  • 基板対向式デユアルパルススパッタ源　DRM400
    DRM400
    原理と特徴：

    絶縁性の酸化膜、窒化膜を8インチ径の基板へ均一に高速成膜できるスパッタ源であり、電気的に独立した内側の円形ターゲットと外側のリング状ターゲットから構成されています。内外のターゲットをユニポラー、バイポラー、またはパルスパケットモードで動作させることができます。RMカソード同様、隠れアノード、移動磁石方式により、低温、安定成膜を可能にしています。

    用途：

    ガラスやプラスチック光学部品、電子部品への絶縁性酸化膜や窒化膜を形成するのに適しています。反射防止膜、ＮＩＲカットフィルター、ＵＶ反射膜、ルゲートフィルターなどを形成できます。

  • 矩形波パルス化ユニット：UBS-C2
    UBS-C2
    原理と特徴：

    矩形波パルススパッタ用のスイッッチングユニットです。40ｋＷが標準で、バイポラー、ユニポラー、パルスパケットモードでのパルススパッタを可能にします。アーキング抑制機能に優れています。1台または2台のＤＣ電源と組み合わせて使います。

    用途：

    パルススパッタ用電源

  • 矩形波パルス電源：　i-pulse
    i-pulse
    原理と特徴：

    矩形波パルススパッタ用の電源です。5kWから90kWまで対応可能です。ユニポラー、バイポラー、パルスパケットモードが可能であり、特にアーキング抑制機能に優れています。

    用途：

    パルススパッタ用電源

  • 全デジタルプロセス制御ユニット: PCUplus
    PCUplus
    原理と特徴：

    反応性スパッタのプロセス制御に使われるユニットであり、ＦＥＰの40年ほどにわたる経験の結晶で、いわば、プロセス制御システムの心臓部です。全デジタル化によりパルスプラズマから発する高周波ノイズなどの影響を避けられること、自分でプログラミング可能なこと、様々なプロセス制御（インピーダンス制御、プラズマ発光制御、分圧制御）などを可能にします。

    用途：

    反応性スパッタのプロセス制御

  • パルススパッタカソード： RMシリーズ
    RMシリーズ
    原理と特徴：

    精密光学膜製造用に開発、実用化されたロールコーターやインラインスパッタ装置向けの矩形カソードです。ＦＥＰ独自の隠れアノード、移動磁石により高速・低温・均一・安定成膜を実現しています。シングルでもデュアルでも使うことができます。カソード長さは、200㎜から1500㎜まで対応可能です。強磁場タイプもあり、低ダメージ、低圧力スパッタを可能にします。

    用途：

    大面積のプラスチックフィルムやガラス板への光学多層膜、透明導電膜、ハイバリア膜などの形成に適しています。

  • 分光式プロセス制御ユニット: S-PCU
    S-PCU
    原理と特徴：

    反応性スパッタのプロセス制御に使われるユニットであり、ＦＥＰの40年ほどにわたる経験の結晶で、いわば、プロセス制御システムの心臓部です。全デジタル化によりパルスプラズマから発する高周波ノイズなどの影響を避けられること、自分でプログラミング可能なこと、様々なプロセス制御（インピーダンス制御、プラズマ発光制御、分圧制御）などを可能にします。

    用途：

    全ての反応性スパッタ装置やプラズマＣＶＤ，プラズマエッチング装置の制御装置として使えます。